光伏產業中抗pid臭氧發（fā）生器製備氧化矽工藝
抗PID晶體矽太陽（yáng）能電池的製備方（fāng）法，該抗（kàng）PID晶體矽太陽能電池在矽基片和氮化矽之間製備（bèi）一層氧化矽，從而抗PID的效果，所述氧（yǎng）化矽使用臭氧氧化工藝製備而成。
所述臭氧氧化工藝包（bāo）括步驟：
1）提供一經過擴散處（chù）理後的矽基片；
2）對所述矽基片進行清（qīng）洗；
3）將（jiāng）所述（shù）矽基片至臭氧臭氧中，使矽基片的擴散麵在臭（chòu）氧（yǎng）中氧化，直至該氧化（huà）作用自（zì）然停止（zhǐ），得到所需的氧化矽層。
矽基片清洗（xǐ）包括：使用HF溶液清洗去（qù）除所述矽（guī）基片表麵的（de）磷矽玻璃層，所述HF溶液的體積濃度為2〜8％，清洗溫度為10 〜30°C，清洗時間為10〜200s。
所述臭氧由臭氧發生器提供（gòng），該臭氧的濃度為5〜100ppm。氧化動作所需的處理時（shí）間為3s〜60min，溫度為15〜25°C，得到的所（suǒ）述氧化娃層的厚度為（wéi）0.6〜2nm。
步驟2）和步（bù）驟3）之間的間隔（gé）時間小於30min。
所（suǒ）述（shù）臭氧氧化工（gōng）藝之後，還包括步驟（zhòu）4）：在氧化矽層表麵沉積氮化矽層。所述氮化矽層的厚度在80〜90nm之間。
所述步驟3）和步驟4）之間的間隔時間小於30min，或者當所（suǒ）述步驟3）和步驟4）之間的間隔時間超過（guò）30min時，對所述（shù）矽基片實施一清洗動作，以（yǐ）去除表麵的自然（rán）氧化層。
該步驟基於蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司（sī）2014-04-03提交的《一種抗（kàng）pid晶體矽太陽能（néng）電池製作方法》
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半導體用高濃（nóng）度可調臭氧發生（shēng）器
標簽：
臭氧發生（shēng）器
工藝
氧化矽
pid
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